半導(dǎo)體微量光子檢測(cè)顯微鏡

簡(jiǎn)要描述：半導(dǎo)體微量光子檢測(cè)顯微鏡
微光顯微鏡是捕獲半導(dǎo)體器件缺陷或失效點(diǎn)發(fā)射
微量光子的一種無(wú)損檢測(cè)設(shè)備。在電激勵(lì)作用下，電
子-空穴對(duì)或高能熱載子以光子的形式釋放出多余動(dòng)
能。根據(jù)此原理，利用高增益低噪聲的相機(jī)就能精確
定位到缺陷位置。EMMI系統(tǒng)C主要適用于PN結(jié)漏電、氧化層崩潰、
靜電放電破壞、閂鎖效應(yīng)、碰撞電離和雪崩擊穿等多
種物理場(chǎng)景。

產(chǎn)品分類

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詳細(xì)介紹

品牌	其他品牌	產(chǎn)地類別	進(jìn)口
應(yīng)用領(lǐng)域	醫(yī)療衛(wèi)生,化工,能源,電子,航天

半導(dǎo)體微量光子檢測(cè)顯微鏡

產(chǎn)品特征參數(shù)

軟件圖像處理功能

8寸高壓手動(dòng)氣浮探針臺(tái)

紫外、可見光、紅外顯微光學(xué)系統(tǒng)

2倍、5倍、10倍、20倍與50倍紅外物鏡

400 -1000 nm 或900-1700 nm響應(yīng)波長(zhǎng)

支持3000 V高壓偏置

相機(jī)與源表的一體化控制程序

應(yīng)用方向

GaN與SiC 基功率器件

的漏電“熱點(diǎn)"定位

GaN基LEDs與結(jié)型探測(cè)

器的漏電“熱點(diǎn)"定位

Si基MOSFET與IGBT等功

率器件的漏電失效“熱

點(diǎn)"定位

GaAs基激光器光分布與

漏電“熱點(diǎn)"定位

常規(guī)的器件的靜態(tài)電學(xué)

參數(shù)測(cè)試。

相關(guān)系列有關(guān)于芯片失效與缺陷檢測(cè)都可以聯(lián)系我司，可看樣機(jī)測(cè)試

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